1. โครงสร้างพื้นฐานของอะตอม สสารต่างๆ ที่เราพบอยู่ทั่วไปนั้น ถ้าพิจารณาลงไปถึงส่วนประกอบขนาดเล็กที่ประกอบกันเป็นสสารนั้นแล้ว จะพบว่าประกอบด้วยโมเลกุล ซึ่งโมเลกุลเป็นส่วนประกอบที่เล็กที่สุดของสารและยังแสดงสมบัติของธาตุนั้นอยู่ได้ ในแต่โมเลกุลจะประกอบด้วยส่วนที่เล็กลงไปอีกเรียกว่าอะตอม จากการทดลองของนักวิทยาศาสตร์ทำให้ทราบว่าอะตอมประกอบด้วยนิวเคลียสที่อยู่เป็นแกนกลางของอะตอม และมีอิเล็กตรอนโคจรรอบนิวเคลียสนั้น ภายในนิวเคลียสยังประกอบไปด้วยอนุภาคของโปรตรอนและนิวตรอนอยู่รวมกัน อิเล็กตรอนที่โคจรอยู่รอบนิวเคลียสนั้นเป็นลบ ส่วนโปรตรอนมีประจุเป็นบวก นิวตรอนที่อยู่ในนิวเคลียสมีประจุเป็นกลางทางไฟฟ้า โดยปกติแล้วอะตอมของธาตุต่างๆ จะเป็นกลางทางไฟฟ้า ในธาตุเดียวกันอะตอมของธาตุนั้นจะมีจำนวนโปรตรอนและอิเล็กตรอนเท่ากัน
2. สารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์ เราลองมาพิจารณาโครงสร้างของสารกึ่งตัวนำที่บริสุทธิ์ โดยในที่นี้ขอยกตัวอย่าง ซิลิคอน จะพบว่า เวเลนซ์อิเล็กตรอนของแต่ละอะตอมจะมีพันธะกับเวเลนซ์อิเล็กตรอนของอะตอมข้างเคียง จึงไม่มีอิเล็กตรอนอิสระที่จะทำให้เกิดการนำไฟฟ้าได้ (การนำไฟฟ้าเกิดจากการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนอิสระ) แต่เมื่ออุณหภูมิสิ่งแวดล้อมสูงเกินกว่า ศูนย์องศาสัมบูรณ์ (absolute zero) ถ้าเราผ่านสนามไฟฟ้าที่มีความเข้มมากพอเข้าไป จะทำให้อิเล็กตรอนบางตัวในพันธะหลุดออกมากลายเป็นอิเล็กตรอนอิสระ และเกิดที่ว่างขึ้น เรียกว่า โฮล โดยแรงเนื่องจากสนามไฟฟ้าจะทำให้อิเล็กตรอนอิสระและโฮลเคลื่อนที่ โดยอิเล็กตรอนอิสระจะเคลื่อนที่ในทิศตรงข้ามกับสนามไฟฟ้า ส่วนโฮลจะเคลื่อนที่ในทิศเดียวกับสนามไฟฟ้า ดังรูปด้านล่าง จึงทำให้เกิดการนำไฟฟ้าขึ้น ดังนั้นจึงสรุปได้ว่า การนำไฟฟ้าในสารกึ่งตัวนำ เกิดจากการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนอิสระและโฮล นั่นเอง
3. สารกึ่งตัวนำไม่บริสุทธิ์ เนื่องจากจำนวนอิเล็กตรอนอิสระในสารกึ่งตัวนำนั้นมีอยู่น้อย กระแสที่ไหลได้จึงมีน้อย ทำให้ไม่สามารถนำไปใช้ประโยชน์ได้มากนัก จึงต้องมีการปรุงแต่งโดยนำเอาอะตอมของธาตุอื่นเจือปนเข้าไป ทำให้กลายเป็น สารกึ่งตัวนำไม่บริสุทธิ์ ซึ่งจะสามารถนำไฟฟ้าได้ดีขึ้นสารที่นำมาใช้เจือปนนี้สามารถแบ่งออกได้เป็น 2 ประเภท ได้แก่-1. สารเจือปนโดเนอร์ (Donor impurity)คือ ธาตุที่มีอิเล็กตรอนวงนอก 5 ตัว (Pentavalent impurities) เช่น พลวง สารหนู หรือ ฟอสฟอรัส ซึ่งเมื่อเจือปนสารประเภทนี้เข้าไป จะทำให้เกิดอิเล็กตรอนอิสระขึ้นในสารกึ่งตัวนำ-2. สารเจือปนแอคแซ็ปเตอร์ (Acceptor impurity)คือ ธาตุที่มีอิเล็กตรอนวงนอก 3 ตัว (Trivalent impurities) เช่น โบรอน อลูมิเนียม หรือ แกล-เลี่ยม ซึ่งเมื่อเจือปนสารประเภทนี้เข้าไป จะทำให้อิเล็กตรอนของสารกึ่งตัวนำหายไป 1 ตัว เกิดเป็นช่องว่างขึ้นในอะตอมของสารกึ่งตัวนำ เรียกว่า โฮล (Hole)
4. สารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น (N - Type)
เกิดจากการนำสารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์ผสมกับสารเจือปนโดเนอร์ ในอัตราส่วนที่พอเหมาะ ทำให้สารกึ่งตัวนำมีอิเล็กตรอนเกินมา 1 ตัว เรียกว่า อิเล็กตรอนอิสระ ซึ่งจะสามารถเคลื่อนที่ได้อย่างอิสระในผลึกนั้น จึงยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลได้
5. สารกึ่งตัวนำชนิดพี (P - Type)
เกิดจากการเอาสารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์ ผสมกับสารเจือปนแอคแซ็ปเตอร์ ในอัตราส่วนที่พอเหมาะ จะทำให้อิเล็กตรอนของสารกึ่งตัวนำหายไป 1 ตัว ทำให้เกิดที่ว่างขึ้นในอะตอมของสารกึ่งตัวนำ เรียกว่า โฮล (Hole) เป็นผลทำให้ มีอิเล็กตรอนน้อยกว่าประจุบวก ดังนั้น สารกึ่งตัวนำชนิดพี จึงมีประจุเป็นบวก
6. ไดโอด (Diode)
เป็นการนำสารกึ่งตัวนำชนิดพีและสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น มาทำการต่อให้ติดกันตามหลักของวิชาฟิสิกส์ของแข็งโดยไดโอดจะมีความต้านทานต่ำมาก และยอมให้กระแสไหลผ่านได้ เมื่อต่อให้ศักย์ไฟฟ้าที่ปลายพีสูงกว่าศักย์ไฟฟ้าที่ปลายเอ็น (ต่อปลายพีเข้ากับขั้วบวกและ
ต่อปลายเอ็นเข้ากับขั้วลบ) หรือที่เรียกว่า ไบแอสตรง นั่นเอง แต่ถ้าเราต่อให้ที่ปลายพีมีศักย์ไฟฟ้าต่ำกว่าปลายเอ็น (ไบแอสกลับ) ไดโอดจะมีความต้านทานสูงมาก และไม่ยอมให้กระแสไหลผ่าน
7. สัญลักษณ์ของไดโอด
ตัวลูกศรเป็นสัญญลักษณ์แทนสารกึ่งตัวนำชนิด P ซึ่งเป็นขั้วอาโนด (ขั้วบวก) ของไดโอด ลูกศรจะชี้ในทิศทางที่โฮลเคลื่อนที่ ส่วนขีดคั่นเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด N ซึ่งเป็นขั้วคาโถด (ขั้วลบ) ดังนั้นเราจะสามารถพิจารณาว่า ไดโอดถูกไบแอสตรงหรือไบแอสกลับได้ง่าย ๆ โดยพิจารณาดูว่าถ้าขั้วอาโนดมีศักดาไฟฟ้าเป็นบวกมากกว่าราคาโถดแล้ว ไดโอดจะถูกไบแอสตรง ถ้าขั้วอาโนดมีศักดาไฟฟ้าเป็นบวกน้อยกว่า คาโถดก็แสดงว่าไดโอดถูกไบแอสกลับ
ไดโอดที่ใช้ในวงจรมีสัญญลักษณ์ เป็นรูปลูกศรมีขีดขวางไว้ดังรูป
8. การไบอัสตรง
ไบอัสตรง คือต้องจ่ายแรงดันให้ตรงตามชนิดของสารกึ่งตัวนำที่ต่อ ถ้าเป็นสารชนิด P แรงดันไบอัสตรงคือศักย์บวก (+) ถ้าเป็นชนิด N แรงดันไบอัสตรงคือศักย์ลบ
การไบอัสกลับ
9. การไบอัสกลับ
ไบอัสกลับเรียกว่า รีเวิร์สไบอัส เป็นการจ่ายแรงดันไฟฟ้าให้กับไดโอดแบบกลับขั้วคือจ่ายศักย์ไฟบวกให้สารชนิดเอ็นจ่ายศักย์ไฟลบให้สารชนิดพีจะมีผลให้เกิดการทำงานดังนี้
ศักย์ไฟบวกที่จ่ายให้ขา K จะดึงดูดอิเล็กตรอนอิสระในสารชนิดเอ็นเคลื่อนตัวออกห่างรอยต่อส่วนศักย์ไฟลบที่จ่ายให้ขา A จะดึงโฮลจากสารชนิดพีเคลื่อนตัวออกห่างรอยต่อเช่นกันทำให้รอยต่อกว้างมากขึ้นอิเล็กตรอนวิ่งไม่ครบวงจร ไม่มีกระแสไฟฟ้าไหลในตัวไดโอด แต่อาจจะมีกระแสรั่วไหล ( Leakage Current ) บ้างเล็กน้อย โดยค่ากระแสรั่วไหลในไดโอดที่ผลิตจากสารเยอรมันเนียมจะมากกว่าไดโอดที่ผลิตจากสารซิลิคอน
10.ลักษณะคุณสมบัติของไดโอด
แม้ว่าไดโอดในอุดมคติจะมีลักษณะคล้ายดังสวิตซ์ทางไฟฟ้า คือเมื่อเราให้ไบอัสตรงจะเหมือนกับสวิตซ์ปิดวงจร ( ON ) แต่ถ้าให้ไบอัสกลับจะเหมือนกับสวิตซ์เปิดวงจร ( OFF ) ซึ่งไดโอดเมื่อได้ไบอัสตรงจะมีกระแสไหลผ่านไดโอดได้สูง และมีแรงดันตกคร่อมไดโอดอยู่เล็กน้อยประมาณ 0.2 หรือ 0.6 โวลต์ ส่วนขณะที่ไบอัสกลับจะมีกระแสไหลผ่านน้อยมากเพียงไม่กี่ไมโครแอมป์
11.การทดสอบไดโอดด้วยโอห์มมิเตอร์
การตรวจหาขาของไดโอดหรือการตรวจสอบว่าไดโอดนั้นใช้งานได้หรือไม่ ทำได้อย่างง่ายโดยการใช้โอห์มิเตอร์ เนื่องจากไดโอดนั้นเมื่อได้รับแรงไฟไบอัสตรงจะยอมให้กระแสไหลผ่าน แสดงว่าค่าความต้านทานของไดโอดมีค่าต่ำ ( โดยทั่วไปค่าความต้านทานนี้เรียกว่า ความต้านทานด้านไบอัสตรง ปกติมีค่าประมาณ 70 ) แต่เมื่อไดโอดได้รับแรงไฟไบอัสกลับจะไม่มีกระแสไหลผ่านไดโอดเหมือนกับว่าความต้านทานของไดโอดมีค่าสูงมาก ( โดยทั่วไปค่าความต้านทานของไดโอดเมื่อได้รับไบอัสกลับ จะมีค่าอยู่ระหว่าง 500 K ถึง
2. สารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์ เราลองมาพิจารณาโครงสร้างของสารกึ่งตัวนำที่บริสุทธิ์ โดยในที่นี้ขอยกตัวอย่าง ซิลิคอน จะพบว่า เวเลนซ์อิเล็กตรอนของแต่ละอะตอมจะมีพันธะกับเวเลนซ์อิเล็กตรอนของอะตอมข้างเคียง จึงไม่มีอิเล็กตรอนอิสระที่จะทำให้เกิดการนำไฟฟ้าได้ (การนำไฟฟ้าเกิดจากการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนอิสระ) แต่เมื่ออุณหภูมิสิ่งแวดล้อมสูงเกินกว่า ศูนย์องศาสัมบูรณ์ (absolute zero) ถ้าเราผ่านสนามไฟฟ้าที่มีความเข้มมากพอเข้าไป จะทำให้อิเล็กตรอนบางตัวในพันธะหลุดออกมากลายเป็นอิเล็กตรอนอิสระ และเกิดที่ว่างขึ้น เรียกว่า โฮล โดยแรงเนื่องจากสนามไฟฟ้าจะทำให้อิเล็กตรอนอิสระและโฮลเคลื่อนที่ โดยอิเล็กตรอนอิสระจะเคลื่อนที่ในทิศตรงข้ามกับสนามไฟฟ้า ส่วนโฮลจะเคลื่อนที่ในทิศเดียวกับสนามไฟฟ้า ดังรูปด้านล่าง จึงทำให้เกิดการนำไฟฟ้าขึ้น ดังนั้นจึงสรุปได้ว่า การนำไฟฟ้าในสารกึ่งตัวนำ เกิดจากการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนอิสระและโฮล นั่นเอง
3. สารกึ่งตัวนำไม่บริสุทธิ์ เนื่องจากจำนวนอิเล็กตรอนอิสระในสารกึ่งตัวนำนั้นมีอยู่น้อย กระแสที่ไหลได้จึงมีน้อย ทำให้ไม่สามารถนำไปใช้ประโยชน์ได้มากนัก จึงต้องมีการปรุงแต่งโดยนำเอาอะตอมของธาตุอื่นเจือปนเข้าไป ทำให้กลายเป็น สารกึ่งตัวนำไม่บริสุทธิ์ ซึ่งจะสามารถนำไฟฟ้าได้ดีขึ้นสารที่นำมาใช้เจือปนนี้สามารถแบ่งออกได้เป็น 2 ประเภท ได้แก่-1. สารเจือปนโดเนอร์ (Donor impurity)คือ ธาตุที่มีอิเล็กตรอนวงนอก 5 ตัว (Pentavalent impurities) เช่น พลวง สารหนู หรือ ฟอสฟอรัส ซึ่งเมื่อเจือปนสารประเภทนี้เข้าไป จะทำให้เกิดอิเล็กตรอนอิสระขึ้นในสารกึ่งตัวนำ-2. สารเจือปนแอคแซ็ปเตอร์ (Acceptor impurity)คือ ธาตุที่มีอิเล็กตรอนวงนอก 3 ตัว (Trivalent impurities) เช่น โบรอน อลูมิเนียม หรือ แกล-เลี่ยม ซึ่งเมื่อเจือปนสารประเภทนี้เข้าไป จะทำให้อิเล็กตรอนของสารกึ่งตัวนำหายไป 1 ตัว เกิดเป็นช่องว่างขึ้นในอะตอมของสารกึ่งตัวนำ เรียกว่า โฮล (Hole)
4. สารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น (N - Type)
เกิดจากการนำสารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์ผสมกับสารเจือปนโดเนอร์ ในอัตราส่วนที่พอเหมาะ ทำให้สารกึ่งตัวนำมีอิเล็กตรอนเกินมา 1 ตัว เรียกว่า อิเล็กตรอนอิสระ ซึ่งจะสามารถเคลื่อนที่ได้อย่างอิสระในผลึกนั้น จึงยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลได้
5. สารกึ่งตัวนำชนิดพี (P - Type)
เกิดจากการเอาสารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์ ผสมกับสารเจือปนแอคแซ็ปเตอร์ ในอัตราส่วนที่พอเหมาะ จะทำให้อิเล็กตรอนของสารกึ่งตัวนำหายไป 1 ตัว ทำให้เกิดที่ว่างขึ้นในอะตอมของสารกึ่งตัวนำ เรียกว่า โฮล (Hole) เป็นผลทำให้ มีอิเล็กตรอนน้อยกว่าประจุบวก ดังนั้น สารกึ่งตัวนำชนิดพี จึงมีประจุเป็นบวก
6. ไดโอด (Diode)
เป็นการนำสารกึ่งตัวนำชนิดพีและสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น มาทำการต่อให้ติดกันตามหลักของวิชาฟิสิกส์ของแข็งโดยไดโอดจะมีความต้านทานต่ำมาก และยอมให้กระแสไหลผ่านได้ เมื่อต่อให้ศักย์ไฟฟ้าที่ปลายพีสูงกว่าศักย์ไฟฟ้าที่ปลายเอ็น (ต่อปลายพีเข้ากับขั้วบวกและ
ต่อปลายเอ็นเข้ากับขั้วลบ) หรือที่เรียกว่า ไบแอสตรง นั่นเอง แต่ถ้าเราต่อให้ที่ปลายพีมีศักย์ไฟฟ้าต่ำกว่าปลายเอ็น (ไบแอสกลับ) ไดโอดจะมีความต้านทานสูงมาก และไม่ยอมให้กระแสไหลผ่าน
7. สัญลักษณ์ของไดโอด
ตัวลูกศรเป็นสัญญลักษณ์แทนสารกึ่งตัวนำชนิด P ซึ่งเป็นขั้วอาโนด (ขั้วบวก) ของไดโอด ลูกศรจะชี้ในทิศทางที่โฮลเคลื่อนที่ ส่วนขีดคั่นเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด N ซึ่งเป็นขั้วคาโถด (ขั้วลบ) ดังนั้นเราจะสามารถพิจารณาว่า ไดโอดถูกไบแอสตรงหรือไบแอสกลับได้ง่าย ๆ โดยพิจารณาดูว่าถ้าขั้วอาโนดมีศักดาไฟฟ้าเป็นบวกมากกว่าราคาโถดแล้ว ไดโอดจะถูกไบแอสตรง ถ้าขั้วอาโนดมีศักดาไฟฟ้าเป็นบวกน้อยกว่า คาโถดก็แสดงว่าไดโอดถูกไบแอสกลับ
ไดโอดที่ใช้ในวงจรมีสัญญลักษณ์ เป็นรูปลูกศรมีขีดขวางไว้ดังรูป
8. การไบอัสตรง
ไบอัสตรง คือต้องจ่ายแรงดันให้ตรงตามชนิดของสารกึ่งตัวนำที่ต่อ ถ้าเป็นสารชนิด P แรงดันไบอัสตรงคือศักย์บวก (+) ถ้าเป็นชนิด N แรงดันไบอัสตรงคือศักย์ลบ
การไบอัสกลับ
9. การไบอัสกลับ
ไบอัสกลับเรียกว่า รีเวิร์สไบอัส เป็นการจ่ายแรงดันไฟฟ้าให้กับไดโอดแบบกลับขั้วคือจ่ายศักย์ไฟบวกให้สารชนิดเอ็นจ่ายศักย์ไฟลบให้สารชนิดพีจะมีผลให้เกิดการทำงานดังนี้
ศักย์ไฟบวกที่จ่ายให้ขา K จะดึงดูดอิเล็กตรอนอิสระในสารชนิดเอ็นเคลื่อนตัวออกห่างรอยต่อส่วนศักย์ไฟลบที่จ่ายให้ขา A จะดึงโฮลจากสารชนิดพีเคลื่อนตัวออกห่างรอยต่อเช่นกันทำให้รอยต่อกว้างมากขึ้นอิเล็กตรอนวิ่งไม่ครบวงจร ไม่มีกระแสไฟฟ้าไหลในตัวไดโอด แต่อาจจะมีกระแสรั่วไหล ( Leakage Current ) บ้างเล็กน้อย โดยค่ากระแสรั่วไหลในไดโอดที่ผลิตจากสารเยอรมันเนียมจะมากกว่าไดโอดที่ผลิตจากสารซิลิคอน
10.ลักษณะคุณสมบัติของไดโอด
แม้ว่าไดโอดในอุดมคติจะมีลักษณะคล้ายดังสวิตซ์ทางไฟฟ้า คือเมื่อเราให้ไบอัสตรงจะเหมือนกับสวิตซ์ปิดวงจร ( ON ) แต่ถ้าให้ไบอัสกลับจะเหมือนกับสวิตซ์เปิดวงจร ( OFF ) ซึ่งไดโอดเมื่อได้ไบอัสตรงจะมีกระแสไหลผ่านไดโอดได้สูง และมีแรงดันตกคร่อมไดโอดอยู่เล็กน้อยประมาณ 0.2 หรือ 0.6 โวลต์ ส่วนขณะที่ไบอัสกลับจะมีกระแสไหลผ่านน้อยมากเพียงไม่กี่ไมโครแอมป์
11.การทดสอบไดโอดด้วยโอห์มมิเตอร์
การตรวจหาขาของไดโอดหรือการตรวจสอบว่าไดโอดนั้นใช้งานได้หรือไม่ ทำได้อย่างง่ายโดยการใช้โอห์มิเตอร์ เนื่องจากไดโอดนั้นเมื่อได้รับแรงไฟไบอัสตรงจะยอมให้กระแสไหลผ่าน แสดงว่าค่าความต้านทานของไดโอดมีค่าต่ำ ( โดยทั่วไปค่าความต้านทานนี้เรียกว่า ความต้านทานด้านไบอัสตรง ปกติมีค่าประมาณ 70 ) แต่เมื่อไดโอดได้รับแรงไฟไบอัสกลับจะไม่มีกระแสไหลผ่านไดโอดเหมือนกับว่าความต้านทานของไดโอดมีค่าสูงมาก ( โดยทั่วไปค่าความต้านทานของไดโอดเมื่อได้รับไบอัสกลับ จะมีค่าอยู่ระหว่าง 500 K ถึง
12.การทดสอบไดโอดด้วยมัลติมิเตอร์แบบอนาล็อก
กระทำได้โดยการตั้งย่านวัดความต้านทานในย่าน R x 10 เพื่อวัดความต้านทานไบอัสตรง โดยต่อขั้วไฟบวก ( มิเตอร์ตระกูล Sanwa ไฟบวกจะออกจากขั้วลบของมิเตอร์ ) ของมิเตอร์เข้ากับขาแอโนด และต่อขั้วไฟลบของมัลติมิเตอร์เข้ากับขาแคโถด จะเห็นว่าเข็มของมิเตอร์ชี้ไปที่ค่าความต้านทานต่ำประมาณ 70 จากนั้นให้ปรับย่านวัดไปย่าน R x 10K เพื่อวัดความต้านทานไบอัสกลับของไดโอด โดยต่อขั้วมัลติมิเตอร์กลับจากเดิม คือ ต่อไฟบวกของมัลติมิเตอร์เข้ากับขาแคโถดและต่อขั้วไฟลบของมัลติมิเตอร์เข้ากับขาแอโนด เข็มมัลติมิเตอร์จะชี้ที่ค่าความต้านทานสูงมาก ( เข็มมิเตอร์ไม่กระดิก ) หรือค่าอนันต์ ( Infinity , ) ในไดโอดชนิดซิลิกอน และประมาณ 500 K ในไดโอดชนิดเยอรมันเนียม
13.การทดสอบไดโอดด้วยมัลติมิเตอร์แบบดิจิตอล
ให้ตั้งย่านวัดไดโอด โดยวัดขั้วทั้งสองของไดโอดด้วยไบอัสตรง คือ ให้ขั้วไฟลบ ( มิเตอร์ดิจิตอล ขั้วไฟลบออกจากขั้วลบของมิเตอร์ ) ของมิเตอร์ต่อกับแคโถดและขั้วไฟบวกของมิเตอร์ต่อกับขาแอโนด มิเตอร์จะแสดงค่าแรงดันตกคร่อมรอยต่อของไดโอด ( แรงดันคัทอิน ) โดยแสดงค่าแรงดัน 0.6 ในไดโอดชนิดซิลิกอนและแสดงค่า 0.2 ในไดโอดชนิดเยอรมันเนียม
กระทำได้โดยการตั้งย่านวัดความต้านทานในย่าน R x 10 เพื่อวัดความต้านทานไบอัสตรง โดยต่อขั้วไฟบวก ( มิเตอร์ตระกูล Sanwa ไฟบวกจะออกจากขั้วลบของมิเตอร์ ) ของมิเตอร์เข้ากับขาแอโนด และต่อขั้วไฟลบของมัลติมิเตอร์เข้ากับขาแคโถด จะเห็นว่าเข็มของมิเตอร์ชี้ไปที่ค่าความต้านทานต่ำประมาณ 70 จากนั้นให้ปรับย่านวัดไปย่าน R x 10K เพื่อวัดความต้านทานไบอัสกลับของไดโอด โดยต่อขั้วมัลติมิเตอร์กลับจากเดิม คือ ต่อไฟบวกของมัลติมิเตอร์เข้ากับขาแคโถดและต่อขั้วไฟลบของมัลติมิเตอร์เข้ากับขาแอโนด เข็มมัลติมิเตอร์จะชี้ที่ค่าความต้านทานสูงมาก ( เข็มมิเตอร์ไม่กระดิก ) หรือค่าอนันต์ ( Infinity , ) ในไดโอดชนิดซิลิกอน และประมาณ 500 K ในไดโอดชนิดเยอรมันเนียม
13.การทดสอบไดโอดด้วยมัลติมิเตอร์แบบดิจิตอล
ให้ตั้งย่านวัดไดโอด โดยวัดขั้วทั้งสองของไดโอดด้วยไบอัสตรง คือ ให้ขั้วไฟลบ ( มิเตอร์ดิจิตอล ขั้วไฟลบออกจากขั้วลบของมิเตอร์ ) ของมิเตอร์ต่อกับแคโถดและขั้วไฟบวกของมิเตอร์ต่อกับขาแอโนด มิเตอร์จะแสดงค่าแรงดันตกคร่อมรอยต่อของไดโอด ( แรงดันคัทอิน ) โดยแสดงค่าแรงดัน 0.6 ในไดโอดชนิดซิลิกอนและแสดงค่า 0.2 ในไดโอดชนิดเยอรมันเนียม
14.การตรวจเช็คไดโอด
การวัดและตรวจสอบไดโอด จะมีพิจารณากันอยู่ 3 ลักษณะ คือ
-1.ไดโอดขาด ( Open ) หมายถึง รอยต่อระหว่างสารพี-เอ็นเปิดออกจากกัน ทำให้ไดโอดไม่สามารถนำกระแสได้ ทั้งในกรณีไบอัสตรงและไบอัสกลับ ( เข็มมิเตอร์ไม่กระดิกทั้งสองครั้ง )
-2. ไดโอดลัดวงจร ( Shot ) หมายถึง รอยต่อระหว่างสารพี-เอ็นเกิดการพังทลายเข้าหากัน ไดโอดจะนำกระแสทั้งในกรณีไบอัสตรงและไบอัสกลับ ( เข็มมิเตอร์ขึ้นทั้งสองครั้ง )
-3. ไดโอดรั่วไหล ( Leakage ) หมายถึง การวัดไดโอดในลักษณะไบอัสกลับ โดยใช้ค่าแรงดันจากโอห์มมิเตอร์ซึ่งมีค่าแรงดันต่ำกว่าค่าแรงดันพังทลายของไดโอด ก็มีกระแสไหลแล้ว ไดโอดชนิดเยอรมันเนียมเมื่อถูกไบอัสกลับจะมีค่าความต้านทานประมาณ 400 K - 500 K ซึ่งมีกระแสรั่วไหลมากกว่าไดโอดชนิดซิลิกอน โดยไดโอดชนิดซิลิกอนเมื่อถูกไบอัสกลับจะมีค่าความต้านทานเป็นอนันต์ ( เข็มมิเตอร์ไม่กระดิก )